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IRF7524D1
Micro8 TM Tape & Reel
T E R M IN A L N U M B E R 1
1 2 .3 ( .4 8 4 )
1 1 .7 ( .4 6 1 )
8 .1 ( .3 1 8 )
7 .9 ( .3 1 2 )
F E ED D IR E C TIO N
N OTES:
1 . O U T L IN E C O N F O R M S T O E IA -4 8 1 & E IA -5 4 1 .
2 . C O N T R O L L IN G D IM E N S IO N : M IL L IM E T E R .
33 0.0 0
( 12 .9 9 2 )
M AX.
1 4 .4 0 ( .5 6 6 )
1 2 .4 0 ( .4 8 8 )
NO TES :
1 . C O N T R O LL IN G D IM E N S IO N : M IL L IM E T ER .
2 . O U T L IN E C O N F O R M S T O E IA -4 8 1 & E IA -5 4 1 .
WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 322 3331
IR GREAT BRITAIN: Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: ++ 44 1883 732020
IR CANADA: 15 Lincoln Court, Brampton, Ontario L6T3Z2, Tel: (905) 453 2200
IR GERMANY: Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 6172 96590
IR ITALY: Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 11 451 0111
IR FAR EAST: K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo Japan 171 Tel: 81 3 3983 0086
IR SOUTHEAST ASIA: 1 Kim Seng Promenade, Great World City West Tower, 13-11, Singapore 237994 Tel: ++ 65 221 8371
IR TAIWAN: 16 Fl. Suite D. 207, Sec. 2, Tun Haw South Road, Taipei, 10673, Taiwan Tel: 886-2-2377-9936
http://www.irf.com/ Data and specifications subject to change without notice . 01/99
8
www.irf.com
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功能描述:MOSFET MOSFT PCh w/Schttky -1.7A 270mOhm 5.4nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7526D1
功能描述:MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7526D1PBF
功能描述:MOSFET 20V FETKY-30V MOSFET 200mOhms 7.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7526D1TR
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制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.030ohm)
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功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET